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TiN/O''''-sialon复相陶瓷的常温导电性能研究
引用本文:姜涛,薛向欣,刘然,段培宁,杜刚. TiN/O''''-sialon复相陶瓷的常温导电性能研究[J]. 功能材料, 2007, 38(1): 135-137,141
作者姓名:姜涛  薛向欣  刘然  段培宁  杜刚
作者单位:东北大学,材料与冶金学院,辽宁,沈阳,110004
摘    要:对原位TiN/O'-sialon纳米复相陶瓷(NTS)和采用"二步法"制备的TiN/O'-sialon复相陶瓷(TS)的常温导电性能进行了对比研究,并对材料TS进行了放电加工.研究结果表明,初始原料中20%(质量分数)和25%(质量分数)左右的TiO2加入量是决定材料NTS和TS中TiN能否形成导电网络的最低TiO2加入量,该导电临界值同基相O'-sialon与导电相TiN的颗粒尺寸比有关,此时相应材料的电阻率为1.6×10-2和1.8×10-2 Ω·cm,满足放电加工的需要.烧结温度升高,两种材料的电阻率略有降低.随放电加工速度的增加,材料TS加工表面粗糙度明显增加.

关 键 词:TiN/O'-sialon  复相陶瓷  导电性能  放电加工
文章编号:1001-9731(2007)01-0135-03
修稿时间:2006-06-28

Room-temperature electrical conductivity property of TiN/O′-sialon multiphase ceramics
JIANG Tao,XUE Xiang-xin,LIU Ran,DUAN Pei-ning,DU Gang. Room-temperature electrical conductivity property of TiN/O′-sialon multiphase ceramics[J]. Journal of Functional Materials, 2007, 38(1): 135-137,141
Authors:JIANG Tao  XUE Xiang-xin  LIU Ran  DUAN Pei-ning  DU Gang
Abstract:
Keywords:
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