| ICP刻蚀优化及在多波长分布反馈式激光器阵列中的应用北大核心CSCD |
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| 引用本文： | 饶岚,忻向军,李灯熬,王任凡,胡海.ICP刻蚀优化及在多波长分布反馈式激光器阵列中的应用北大核心CSCD[J].激光与光电子学进展,2017(3):194-199. |
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| 作者姓名： | 饶岚 忻向军 李灯熬 王任凡 胡海 |
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| 作者单位： | 1.北京邮电大学电子工程学院100876;2.太原理工大学信息工程学院030024;3.武汉电信器件有限公司430074;4.深圳清华大学研究院518000; |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(2015AA016901) |
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| 摘 要： | 研究了CH_4/H_2/Cl_2感应耦合等离子体刻蚀技术中的关键工艺参数对刻蚀性能的影响。通过对CH_4/H_2/Cl_2气体流量及流量比的优化,在自行设计的InP/InGaAlAs多量子阱结构的外延片上,实现了一种高速低损耗、形貌良好的Bragg光栅制作方法。基于优化后的工艺参数制作了多周期结构的λ/4相移光栅,实现了单片集成的四波长1.3μm分布反馈式激光器阵列。该激光器阵列中激光器的阈值电流典型值为11mA,外微分效率可达0.40 W/A,且实现了边摸抑制比大于46dB的稳定的单纵模激光输出。研究结果表明优化后的ICP光栅刻蚀工艺具有良好的刻蚀精度和可靠性。
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| 关 键 词： | 激光器 分布反馈式激光器阵列 感应耦合等离子体刻蚀 InP/InGaAlAs 片上集成 |
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