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GaAs单片式声表面波存储相关器
引用本文:白涛,李云,陈运祥,朱昌安. GaAs单片式声表面波存储相关器[J]. 压电与声光, 2002, 24(1): 8-11
作者姓名:白涛  李云  陈运祥  朱昌安
作者单位:1. 四川压电与声光技术研究所,重庆,400060
2. 河北半导体研究所,石家庄,050051
摘    要:主要介绍了一种利用具有压电特性的半导体材料砷化镓设计和制作的声表面波非线性效应器件;声表面波存储相关器,对在这种器件的研制过程中所应该注意的一些关键性问题:如存储时间、离子注入等进行了较为详细的讨论,希望能对这种信号处理功能优良的器件未来的发展有所裨益。

关 键 词:砷化镓 声表面波非线性效应 声表面波存储相关器 存储时间 离子注入 砷化镓
文章编号:1004-2474(2002)01-0008-04

Discussion on GaAs Monolithic SAW Memory Correlafor
BAI Tao ,LI Yun ,CHEN Yun xiang ,ZHU Chang an. Discussion on GaAs Monolithic SAW Memory Correlafor[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2002, 24(1): 8-11
Authors:BAI Tao   LI Yun   CHEN Yun xiang   ZHU Chang an
Affiliation:BAI Tao 1,LI Yun 2,CHEN Yun xiang 1,ZHU Chang an 1
Abstract:SAW memory correlator is an excellent non linear effect SAW device fabricated on GaAs substrate,in which piezoelectric characteristic is employed Some sensitive issues related to this device,like storage time and ion implantation ect,are also examined in detail
Keywords:GaAs  SAW non linear effect device  SAW memory correlator  storage time  ion implant  
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