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锡基氧化物薄膜的制备与电化学性能
引用本文:赵胜利,文九巴,李谦,傅正文,秦启宗.锡基氧化物薄膜的制备与电化学性能[J].材料研究学报,2006,20(3):262-266.
作者姓名:赵胜利  文九巴  李谦  傅正文  秦启宗
作者单位:河南科技大学材料学院,洛阳,471003;复旦大学化学系,上海,200433
基金项目:中国科学院资助项目;国家重点基础研究发展计划(973计划);河南科技大学校科研和教改项目
摘    要:制备了SnOx(1≤x≤2)薄膜,研究了氧化温度对薄膜形貌、结构及性质的影响.结果表明,SnOz薄膜表面光滑.厚度均匀且致密,由纳米尺寸、分布均匀的晶形颗粒组成,颗粒粒径随着氧化温度的升高而逐渐变大;SnOx薄膜电极初始可逆容量随着氧化温度的升高而降低,首次容量损失则随氧化温度的升高而增大.在温度为600℃氧化2h,SnOx薄膜的可再充放电性能最好.

关 键 词:无机非金属材料  锡基氧化物薄膜  真空蒸发  热氧化
文章编号:1005-3093(2006)03-0262-05
收稿时间:02 25 2005 12:00AM
修稿时间:08 6 2005 12:00AM

Preparation of tin-based oxides thin films and its'electrochemical properties
ZHAO Shengli,WEN Jiuba,LI Qian,FU Zhengwen,QIN Qizong.Preparation of tin-based oxides thin films and its'electrochemical properties[J].Chinese Journal of Materials Research,2006,20(3):262-266.
Authors:ZHAO Shengli  WEN Jiuba  LI Qian  FU Zhengwen  QIN Qizong
Abstract:
Keywords:inorganic non-metallic materials  tin-based oxides thin film  vacuum thermal evapora- tion  thermal oxidation
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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