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用SEM直接测定介质薄膜的厚度
作者姓名:
刘学如
张明
刘永宽
肖化明
摘 要:
本文主要介绍利用SEM对几种介质薄膜厚度的直接测定,并讨论了其应用的范围及测量精度,在集成电路的研制工艺中,需要研制多种同质和异质的介质膜,如氮化硅、二氧化硅,多晶和单晶硅、金属铝等。而通常用光学测量这些膜厚并相应地建立了直接或间接的多种方法,在此基础上我们利用SEM具有测量精度高、图象清晰等特点,建立了同时测量多种膜厚和非破坏的样品倾斜法,能谱特征峰比例法直接测定膜厚度,精度可达10%以内,方法简易、快速、精度高。尤其是可检测厚度的均匀性。实践表明,均能满足与符合工艺要求。
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