| InGaN多量子阱激光器在SLA RP技术中的应用 |
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| 引用本文： | 李广宏,朱林泉.InGaN多量子阱激光器在SLA RP技术中的应用[J].红外,2007,28(2):36-39. |
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| 作者姓名： | 李广宏 朱林泉 |
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| 作者单位： | 中北大学信息与通信工程学院,山西,太原,030051 |
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| 摘 要： | 简单介绍了快速成型及其光固化(SLA)技术,分析了SLA中各种激光器光源的特点。通过对量子阱原理的介绍,重点讨论了InGaN基多量子阱激光器及其作为SLA的激光器光源的优点。最后对InGaN基多量子阱激光器的发展应用进行了展望。
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| 关 键 词： | 快速成型(RP) 光固化(SLA) InGaN多量子阱激光器 |
| 文章编号： | 1672-8785（2007）02-0036-04 |
| 修稿时间： | 2006-10-13 |
Application of Multi-quantum Well Laser with InGaN Semiconductor in SLA RP System |
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| LI Guang-hong,ZHU Lin-quan.Application of Multi-quantum Well Laser with InGaN Semiconductor in SLA RP System[J].Infrared,2007,28(2):36-39. |
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| Authors: | LI Guang-hong ZHU Lin-quan |
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| Affiliation: | School of Information ~d Communication Engineering, North University of China, Taiyuan 030051, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | rapid prototyping Stereolithgraphy Apparatus (SLA) multi-quantum well lasers with InGaN semiconductor |
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