| 半导体材料β-FeSi2的发光性质研究 |
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| 引用本文： | 康双双,谢泉,张晋敏,熊锡成.半导体材料β-FeSi2的发光性质研究[J].纳米科技,2014(2):77-81. |
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| 作者姓名： | 康双双 谢泉 张晋敏 熊锡成 |
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| 作者单位： | 贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵州贵阳550025 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（61264004）,科技部国际科技合作专项项目（2008DFA52210）,贵州省科技攻关项目（黔科合GY字[2011]3015）.贵州省科技创新人才团队建设专项资金项目（黔科合人才团队[2011]4002）,贵州省国际科技合作项目（黔科合外G字[2012]7004）,贵州省教育厅”125”重大科技专项项目（黔教合重大专项字[2012]003）,贵阳市科技计划项目（筑科合同[2012101]2-16}. |
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| 摘 要： | 半导体材料β-FeSi2作为一种新型的光学活性材料引起了人们的广泛关注。β-FeSi2材料的发光波长在1．5μm，是光纤通信的重要波段，且能与已经发展起来的硅集成工艺兼容。文章概述了近年来β-FeSi2材料发光性质的研究成果，尤其是在改善发光性能上所做出的努力，为实现材料在器件上的应用和进一步的材料研究提供了有益的参考。
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| 关 键 词： | β-FeSi2 硅位错发光 非辐射复合 光致发光 电致发光 |
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