半导体材料β-FeSi2的发光性质研究 |
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作者姓名: | 康双双 谢泉 张晋敏 熊锡成 |
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作者单位: | 贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵州贵阳550025 |
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基金项目: | 国家自然科学基金项目(61264004),科技部国际科技合作专项项目(2008DFA52210),贵州省科技攻关项目(黔科合GY字[2011]3015).贵州省科技创新人才团队建设专项资金项目(黔科合人才团队[2011]4002),贵州省国际科技合作项目(黔科合外G字[2012]7004),贵州省教育厅”125”重大科技专项项目(黔教合重大专项字[2012]003),贵阳市科技计划项目(筑科合同[2012101]2-16}. |
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摘 要: | 半导体材料β-FeSi2作为一种新型的光学活性材料引起了人们的广泛关注。β-FeSi2材料的发光波长在1.5μm,是光纤通信的重要波段,且能与已经发展起来的硅集成工艺兼容。文章概述了近年来β-FeSi2材料发光性质的研究成果,尤其是在改善发光性能上所做出的努力,为实现材料在器件上的应用和进一步的材料研究提供了有益的参考。
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关 键 词: | β-FeSi2 硅位错发光 非辐射复合 光致发光 电致发光 |
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