| 短沟道双栅MOSFET的亚阈值特性分析 |
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| 引用本文： | 朱兆旻,王睿,赵青云,顾晓峰.短沟道双栅MOSFET的亚阈值特性分析[J].固体电子学研究与进展,2014(2):101-105. |
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| 作者姓名： | 朱兆旻 王睿 赵青云 顾晓峰 |
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| 作者单位： | 轻工过程先进控制教育部重点实验室;江南大学电子工程系; |
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| 基金项目： | 专用集成电路与系统国家重点实验室开放研究课题基金资助项目(11KF003);中央高校基本科研业务费专项资助项目(JUS-RP51323B,JUSRP211A37);江苏高校优势学科建设工程(PAPD);江苏省六大人才高峰资助项目(DZXX-053) |
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| 摘 要： | 基于泊松方程和拉普拉斯方程,结合双栅MOSFET的边界条件,采用牛顿-拉夫逊迭代法推导了双栅MOSFET亚阈值区全沟道的电势解析解。在亚阈值区电流密度方程的基础上,提出了双栅MOSFET的一个亚阈值电流模型,并获得了亚阈值摆幅的解析公式。通过对物理模型和数值模拟结果进行比较,发现在不同的器件结构参数下,亚阈值摆幅之间的误差均小于5%。
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| 关 键 词： | 双栅金属-氧化物-半导体场效应管 亚阈值特性 摆幅 短沟道效应 |
Subthreshold Characteristics of Short-channel Double-gate MOSFETs |
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