| 基于CMOS工艺的双结深CTIA荧光传感器 |
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| 引用本文： | 施朝霞,朱大中. 基于CMOS工艺的双结深CTIA荧光传感器[J]. 传感技术学报, 2014, 27(2): 153-157 |
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| 作者姓名： | 施朝霞 朱大中 |
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| 作者单位： | 浙江工业大学信息学院光纤通信与信息工程研究所;浙江大学信息学院微电子与光电子研究所; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61306090);浙江省级公益性技术应用研究计划项目(2013C31069) |
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| 摘 要： | 基于标准CMOS工艺设计了P+/Nwell/Psub双结深光电二极管,建立了双结深光电二极管的光电响应模型,并用MATLAB仿真比较了单、双结光电二极管的光电响应灵敏度。针对双结深光电二极管分别设计了3T和CTIA有源像素电路,单个像素尺寸为100μm×100μm,采用0.5μm CMOS工艺实现。实验测试了在不同光强下有源像素电路的光电转换特性。双结深光电二极管的峰值灵敏度为0.59 A/W@440 nm,双结深的3T像素光电转换灵敏度为42 V/(lux·s),双结深的CTIA像素光电转换灵敏度为2243 V/(lux·s)。结果表明,采用双结深的CTIA光电传感电路对微弱的光具有更高的光电转换灵敏度,可以应用在环境、生物、医学荧光检测中。
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| 关 键 词： | 荧光传感器 双结深光电二极管 CMOS CTIA |
Double-junction CTIA Fluorescence Sensor based on CMOS Process |
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| Keywords: | double-junction photodiode sensitivity CMOS |
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