| 碲镉汞As掺杂技术研究 |
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| 引用本文： | 巫艳,吴俊,魏青竹,陈路,于梅芳,王元樟,傅祥良,乔怡敏,何力. 碲镉汞As掺杂技术研究[J]. 激光与红外, 2006, 36(11): 1023-1025 |
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| 作者姓名： | 巫艳 吴俊 魏青竹 陈路 于梅芳 王元樟 傅祥良 乔怡敏 何力 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心,上海,200083 |
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| 基金项目： | 致谢：在研究中得到杨建荣、方维政、杜美蓉、贺志艮、胡晓勺、叶振华、李严谨、张勤耀、丁瑞军等全室工作人员对本项工作的技术支持,作者在此表示衷心感谢. |
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| 摘 要： | 对于MBE原位掺杂，HgCdTe的N型掺杂比较容易，而P型掺杂相对来说难度比较大。作为掺杂杂质的As表现出两性掺杂行为，在富Te的条件下生长，As有很大的几率进入到阳离子位置处。而As必须进入Te位才能参与导电，表现为P型。因此，采取了多种方法，现已获得10^16-10^18坤cm^-3掺杂水平的P型材料。在成功实现As的掺杂后，研究人员对激活退火做了一些研究。研究发现，需要在汞压下经过高温退火，As原子才能占据Te位成为受主杂质。对As在碲镉汞中的扩散系数也进行了研究。
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| 关 键 词： | 碲镉汞 分子束外延 As掺杂 |
| 文章编号： | 1001-5078（2006）11-1023-03 |
| 收稿时间： | 2006-08-20 |
| 修稿时间： | 2006-08-20 |
Research of Arsenic Doping in MBE HgCdTe |
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| WU Yan,WU Jun,WEI Qing-zhu,CHEN Lu,YU Yuan-fang,WANG Yuan-zhang,FU Xiang-liang,QIAO Yi-ming,HE li. Research of Arsenic Doping in MBE HgCdTe[J]. Laser & Infrared, 2006, 36(11): 1023-1025 |
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| Authors: | WU Yan WU Jun WEI Qing-zhu CHEN Lu YU Yuan-fang WANG Yuan-zhang FU Xiang-liang QIAO Yi-ming HE li |
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| Affiliation: | Department of Advanced material and device, Shanghai institute of technical physics, Chinese Academy of Sciences ,Shanghai 200083, China |
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| Abstract: | Compared with N-type doping, P-type doping in MBE HgCdTe is more difficult. For Te-rich MBE growth condition, arsenic has more chance gone into cation position than anion, as acts as acceptor only when it gone into Te site. By using arsenic crack cell, we have found the way to achieve P-type doping in 10^16 - 10^18cm ^-3 levels. To activate arsenic, the annealing condition was studied, and it was found that arsenic could go into Te site and acts as acceptor only when annealing under mercury pressures. Arsenic diffusion in HgCdTe was also studied. |
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| Keywords: | HgCdTe MBE As doping |
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