| 适用于0.8μmCMOS VLSI的双层金属布线技术研究 |
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| 引用本文： | 徐秋霞,海潮和,陈焕章,赵玉印,李建勋.适用于0.8μmCMOS VLSI的双层金属布线技术研究[J].半导体学报,1997,18(3):218-222. |
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| 作者姓名： | 徐秋霞 海潮和 陈焕章 赵玉印 李建勋 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子中心研究部!北京，100029，中国科学院微电子中心研究部!北京，100029，中国科学院微电子中心研究部!北京，100029，中国科学院微电子中心研究部!北京，100029，中国科学院微电子中心研究部!北京，100029 |
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| 摘 要： | 多层金属有线互连技术是VLSI工艺中最重要和关键的技术之一．本文系统地研究了用效0．8μmCMOSVLSI的双层金属布线工艺技术，特别是对双层金属布线层间介质的平坦化、接触孔和通孔的低阻欧姆接触及可靠的金属互连等关键工艺进行了分析讨论．这套技术已成功地应用放“0．8μm双层金属布线CMOS计算机主板时钟产生器专用集成电路”的研制，并获得较好芯片成品率．
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| 关 键 词： | 多层布线技术 VLSI CMOS |
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