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| GaInNAs／GaAs量子阱激光器的发展与未来 | |
| 引用本文： | 林耀望,潘钟.GaInNAs／GaAs量子阱激光器的发展与未来[J].光电子技术与信息,2000,13(4):1-6. |
| 作者姓名： | 林耀望 潘钟 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心,北京 |
| 摘 要： | ＧｓＩｎＮＡｓ是一种直接带隙半导体材料，在长波长（１．３０和１．５５μｍ）光通信系统中具有广阔的应用前景。通过调节Ｉｎ和Ｎ的组分，既可获得应变ＧａＩｎＮＡｓ外延材料，也可制备ＧａＩｎＮＡｓ与ＧａＡｓ匹配的异质结构，其波长覆盖范围为０．９￣２．０μｍ．ＧａＩｎＮＡｓ／ＧａＡｓ量子阱激光器的特征温度为２００Ｋ，远大于现行ＧａＩｎＮＡｓＰ／ＩｎＰ激光器的特征温度（Ｔ０＝５０Ｋ）。ＧａＩｎＮＡｓ光电子器件 |
| 关 键 词： | GaInNAs GaAs 量子阱激光器 半导体激光器 |
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