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| RESURF原理应用于SOI LDMOS晶体管 | |
| 引用本文： | 富力文,阎力大.RESURF原理应用于SOI LDMOS晶体管[J].半导体学报,1996,17(4):283-288. |
| 作者姓名： | 富力文 阎力大 |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所 |
| 摘 要： | 本文首次采用解析方法及二维计算机模拟讨论了ＲＥＳＵＲＦ原理应用于ＳＯＩＬＤＭＯＳ晶体管．研究表明：击穿电压随埋层ＳｉＯ２厚度增加而增加；击穿电压随Ｓｉ层厚度变化呈现Ｕ型曲线；当埋层ＳｉＯ２和Ｓｉ层厚度一定时，Ｓｉ层的杂质浓度存在一个临界值，在此浓度之下，可获得高的击穿电压．这个结论也适用于介质隔离的各种横向器件的击穿特性分析． |
| 关 键 词： | 晶体管 SOI LDMOS RESURF原理 |
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