采用硅-兰宝石工艺的高性能低功率互补MOS存贮器

简介——采用硅栅工艺和器件沟道长度为5微米制作的硅-兰宝石互补MOS反相器已达到毫微秒的传输延迟和微微焦耳的动态功率与延迟乘积。除了开关速度快和动态功耗低以外,反相器具有低的泄漏电流,所以得到了低的静态功耗。 已制作了两种具有单个反相器性能特点的复杂的硅-兰宝石互补MOS存贮器。十种是铝栅256位全译码的静态随机存取存贮器,特征是在10伏时典型的取数时间为50毫微秒,静态功耗为每位0.4微瓦,动态功耗为每位10微瓦。在5伏工作时典型的取数时间是95毫微秒。另一种是硅栅256位动态移位寄存器,特征是10伏时可以在200兆赫时钟信号下工作,5伏时工作于75兆赫。在50兆赫和5伏时,典型的动态功耗是每位90微瓦。