| 电离辐射诱导HeLaS3细胞凋亡时程变化的影响 |
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| 引用本文： | 金光辉,薛丽香,付士波,苏旭.电离辐射诱导HeLaS3细胞凋亡时程变化的影响[J].辐射研究与辐射工艺学报,2001,19(4):307-310. |
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| 作者姓名： | 金光辉 薛丽香 付士波 苏旭 |
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| 作者单位： | 白求恩医科大学卫生部 |
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| 基金项目： | 卫生部科学研究基金(98-1-202)资助 |
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| 摘 要： | 采用PI和Hoechst33342双染、流式细胞术(FCM)和图像分析术(ICM)检测了不同剂量电离辐射对HeLaS3细胞凋亡的影响.结果表明,HeLaS3细胞在分别受到0.5-4.0Gy
X射线照射后8h,其细胞凋亡呈增高趋势,但无统计学意义.照射后12h,细胞凋亡显著增加(p<0.01),并达峰值.随后,细胞凋亡率迅速下降,48h,又有所回升.且流式细胞术与图像分析术所得结果数据相近,趋势一致.
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| 关 键 词： | 电离辐射 细胞凋亡 流式细胞术 图像分析术 硫化丙啶 HeLaS3细胞 肿瘤 临床放化疗 |
| 修稿时间： | 2000年6月28日 |
INFLUENCES ON TIME COURSE OF APOPTOSIS OF HeLaS3 CELLS AFTER IRRADIATION WITH DIFFERENT DOSES X RAYS |
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