| Y—TZP陶瓷晶粒生长的控制 |
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| 引用本文： | 徐跃萍 郭景坤. Y—TZP陶瓷晶粒生长的控制[J]. 硅酸盐学报, 1992, 20(4): 360-364 |
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| 作者姓名： | 徐跃萍 郭景坤 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所(徐跃萍，郭景坤，黄校先)，中国科学院上海硅酸盐研究所(李包顺) |
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| 摘 要： | 为了获得超细晶粒的Y-TZP陶瓷,制备了无团聚体的素坯,研究了在烧结过程中的晶粒生长和气孔变化的规律。在烧结初期,晶粒与气孔同时增大;在烧结中期,气孔的表面扩散是晶粒生长的主要机理;烧结后期,随着烧结温度的提高,晶界扩散是晶粒生长的主要机理。实验结果进一步表明:在1250℃,2h的烧结条件下,可获得晶粒尺寸仅为100～150nm的Y-TZP陶瓷。
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| 关 键 词： | 钇 晶氧化锆 陶瓷 晶粒生长 烧结 |
GRAIN GROWTH IN ULTRAFINE Y-TZP CERAMICS |
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| Xu Yueping Guo Jingkun Huang Xiaoxian Li Baoshun. GRAIN GROWTH IN ULTRAFINE Y-TZP CERAMICS[J]. Journal of The Chinese Ceramic Society, 1992, 20(4): 360-364 |
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| Authors: | Xu Yueping Guo Jingkun Huang Xiaoxian Li Baoshun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | grain growth ultrafine grain yttria stabilized tetragonal polycrystals zirconia ceramics sintering process |
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