| 用DC—PCVD法沉积非晶态Si3N4薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 吴大兴 周海. 用DC—PCVD法沉积非晶态Si3N4薄膜的研究[J]. 硅酸盐学报, 1992, 20(3): 248-255,261 |
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| 作者姓名： | 吴大兴 周海 |
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| 作者单位： | 西南交通大学(吴大兴，周海，杨川)，西南交通大学(高国庆) |
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| 摘 要： | 硅的氮化物薄膜用DC-PCVD装置沉积,这种装置在沉积过程中仅用直流电源。涂覆用的基体材料是单晶硅、2Cr13不锈钢等。用扫描电镜研究了薄膜的形态,用红外光谱、X射线衍射仪、透射电镜确认了薄膜的成分、结构。这些结果表明:涂覆试样由表面的超硬层,过渡层、基体三部分组成;超硬层主要含非晶态的Si_2N_4;薄膜由许多致密堆积的小球组成。涂覆试样的表面硬度(H_(V0.02))大约是43000～47000 MPa。涂层与基体之间结合力为15N左右。
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| 关 键 词： | 气相沉积法 非晶态 氮化硅 薄膜 |
A STUDY OF AMORPHOUS Si_3N_4 THIN FILMS DEPOSITED BY DC-PCVD METHOD |
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| Wu Daxin Zhou Hai Yang Chuan Gao Guoqing. A STUDY OF AMORPHOUS Si_3N_4 THIN FILMS DEPOSITED BY DC-PCVD METHOD[J]. Journal of The Chinese Ceramic Society, 1992, 20(3): 248-255,261 |
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| Authors: | Wu Daxin Zhou Hai Yang Chuan Gao Guoqing |
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| Affiliation: | Southwest Jiaotong University |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | DC-PCVD amorphous three silicon four nitrogen thin film |
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