| 基于原子层沉积技术制备氧化钽薄膜及其特性研究 |
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| 引用本文： | 明帅强,文庆涛,高雅增,闫美菊,卢维尔,夏洋. 基于原子层沉积技术制备氧化钽薄膜及其特性研究[J]. 材料导报, 2021, 35(6): 6042-6047. DOI: 10.11896/cldb.19120213 |
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| 作者姓名： | 明帅强 文庆涛 高雅增 闫美菊 卢维尔 夏洋 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研究中心,北京 100029;中国科学院大学,北京 101407;中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研究中心,北京 100029;北京交通大学理学院,北京 100044;中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研究中心,北京 100029;中国科学院大学,北京 101407;中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研究中心,北京 100029;北京交通大学理学院,北京 100044;中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研究中心,北京 100029;中国科学院大学,北京 101407;北京市微电子制备仪器设备工程技术研究中心,北京 100029;中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研究中心,北京 100029;中国科学院大学,北京 101407 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家重点研发计划;国家自然科学基金青年科学基金 |
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| 摘 要： | 本工作以单晶硅为衬底,乙醇钽和水分别为钽源和氧源,研究原子层沉积技术制备氧化钽薄膜的工艺,考察了乙醇钽温度、衬底温度、脉冲时间等工艺条件对氧化钽薄膜的生长速率、粗糙度和表面形貌等特性的影响.通过椭偏仪、原子力显微镜、扫描电子显微镜以及高分辨X射线光电子能谱测试分析表明,制备获得的氧化钽薄膜表面光滑,粗糙度小于1 nm,薄膜生长速率受工艺参数的影响较大,其中在乙醇钽源瓶温度170℃、脉冲时间0.1 s以及衬底温度200℃时,氧化钽的生长速率为0.253?/cycle.本工作基于原子层沉积高性能氧化钽薄膜的工艺研究,将对氧化钽薄膜在介质材料、存储介质以及光学涂层等领域的应用奠定基础.
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| 关 键 词： | 原子层沉积 氧化钽薄膜 乙醇钽 生长速率 粗糙度 |
Preparation of Tantalum Oxide Thin Films by Atomic Layer Deposition Technique and Their Property Characterization |
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| MING Shuaiqiang,WEN Qingtao,GAO Yazeng,YAN Meiju,LU Weier,XIA Yang. Preparation of Tantalum Oxide Thin Films by Atomic Layer Deposition Technique and Their Property Characterization[J]. Materials Review, 2021, 35(6): 6042-6047. DOI: 10.11896/cldb.19120213 |
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| Authors: | MING Shuaiqiang WEN Qingtao GAO Yazeng YAN Meiju LU Weier XIA Yang |
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