| Pt对In2O3纳米线场效应晶体管电学性能的影响 |
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| 引用本文： | 吴黎明,徐进霞,范志成,梅菲,周远明,刘凌云.Pt对In2O3纳米线场效应晶体管电学性能的影响[J].材料导报,2021,35(4):28-33. |
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| 作者姓名： | 吴黎明 徐进霞 范志成 梅菲 周远明 刘凌云 |
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| 作者单位： | 湖北工业大学太阳能发电及储能运行控制湖北省重点实验室,武汉 430068;湖北工业大学太阳能高效利用湖北省协同创新中心,武汉 430068;湖北工业大学电气与电子工程学院,武汉 430068;湖北工业大学太阳能发电及储能运行控制湖北省重点实验室,武汉 430068;湖北工业大学太阳能高效利用湖北省协同创新中心,武汉 430068;湖北工业大学电气与电子工程学院,武汉 430068;湖北工业大学理学院,武汉 430068;湖北工业大学太阳能发电及储能运行控制湖北省重点实验室,武汉 430068;湖北工业大学太阳能高效利用湖北省协同创新中心,武汉 430068;湖北工业大学电气与电子工程学院,武汉 430068;湖北工业大学太阳能发电及储能运行控制湖北省重点实验室,武汉 430068;湖北工业大学太阳能高效利用湖北省协同创新中心,武汉 430068;湖北工业大学电气与电子工程学院,武汉 430068;湖北工业大学理学院,武汉 430068;湖北工业大学太阳能发电及储能运行控制湖北省重点实验室,武汉 430068;湖北工业大学太阳能高效利用湖北省协同创新中心,武汉 430068;湖北工业大学电气与电子工程学院,武汉 430068;湖北工业大学理学院,武汉 430068;湖北工业大学太阳能发电及储能运行控制湖北省重点实验室,武汉 430068;湖北工业大学太阳能高效利用湖北省协同创新中心,武汉 430068;湖北工业大学电气与电子工程学院,武汉 430068;湖北工业大学理学院,武汉 430068 |
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| 基金项目： | 太阳能高效利用及储能运行控制湖北省重点实验室开放基金;国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 氧化铟纳米线(In2 O3 NWs)因具有合适的禁带宽度、较高的电子迁移率等优异的电学性能,可应用于晶体管、存储器、传感器等而备受关注,成为研究的热点.本实验通过简单易行的化学气相沉积法生长了In2 O3纳米线,结合电子束光刻(EBL)成功制备了In2 O3纳米线场效应晶体管器件(Field effect transistor,FET),利用溅射系统在In2 O3 FET上沉积不同厚度的Pt,研究了Pt纳米颗粒对In2 O3 FET电学性能的影响.利用扫描电子显微镜、X射线衍射及光致发光光谱研究了In2 O3纳米线的形貌、组成及光学性能;利用X射线光电子能谱分析纳米线的元素化学价态和组成.通过分析沉积Pt前后In2O3纳米线FET的电学性能发现,沉积Pt纳米颗粒后场效应晶体管阈值电压(Vth)有向右偏移的趋势,开关比(Ion/Ioff)有所下降,载流子浓度降低,载流子迁移率增大.晶体管阈值电压(Vth)向右偏移可归因于沉积Pt后金属/半导体接触形成电子转移,此外纳米线的表面缺陷可以充当吸附位点,表面缺陷吸附的氧和水分子将捕获来自纳米线的自由电子,导致表面电子消耗,从而使得载流子浓度降低.研究结果表明,Pt金属纳米颗粒对In2 O3纳米线FET的电学性能存在一定的影响.
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| 关 键 词： | In2O3纳米线FET 阈值电压 Pt金属纳米颗粒 载流子浓度 |
Effect of Pt on the Electrical Properties of Indium Oxide Nanowire Field Effect Transistors |
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| WU Liming,XU Jinxia,FAN Zhicheng,MEI Fei,ZHOU Yuanming,LIU Lingyun.Effect of Pt on the Electrical Properties of Indium Oxide Nanowire Field Effect Transistors[J].Materials Review,2021,35(4):28-33. |
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| Authors: | WU Liming XU Jinxia FAN Zhicheng MEI Fei ZHOU Yuanming LIU Lingyun |
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