| 掺杂硅硅栅晶圆片快速热处理工艺中的温度分布 |
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| 引用本文： | 王爱华,牛义红,刘宇,陈铁军,李立亚. 掺杂硅硅栅晶圆片快速热处理工艺中的温度分布[J]. 哈尔滨工业大学学报, 2014, 46(3): 124-128 |
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| 作者姓名： | 王爱华 牛义红 刘宇 陈铁军 李立亚 |
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| 作者单位： | 东北大学 材料与冶金学院, 110819 沈阳;东北大学 材料与冶金学院, 110819 沈阳;东北大学 材料与冶金学院, 110819 沈阳;东北大学 材料与冶金学院, 110819 沈阳;重庆大学 动力工程学院, 400030 重庆 |
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| 基金项目： | 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(N110204015);中国博士后科学基金面上资助项目(2012M510075). |
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| 摘 要： | 为了提高晶圆片温度分布的均匀性、改善加热元件性能,采用传导与辐射耦合传热模型,对快速热处理工艺中晶圆片内传热过程进行了数值模拟,研究了3种掺杂硅硅栅宽度(lG=0,0,60 μm)条件下,硅栅宽度与图案周期之比(lG／lP=0.5,0.0,0.25)变化对晶圆片温度分布的影响．结果表明:在相同掺杂硅硅栅宽度条件下,随着硅栅排列密度的增加,晶圆片总的温度水平下降,晶圆片表面温度温差变小,温度均匀性提高；在相同硅栅排列密度条件下,随着硅栅宽度的增加,晶圆片温度水平不断提高,而晶圆片表面温度温差几乎没有变化．这是因为晶圆片表面图案结构变化改变了表面吸收特性,调整了对入射辐射能量的吸收和分配,影响了晶圆片温度水平和温度均匀性．
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| 关 键 词： | 图案晶圆片 快速热处理工艺 热辐射 温度分布 热传输特性 |
| 收稿时间： | 2013-04-11 |
Temperature distribution of wafer with a doped silicon gate array during Rapid Thermal Process |
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| WANG Aihu,NIU Yihong,LIU Yu,CHEN Tiejun and LI Liya. Temperature distribution of wafer with a doped silicon gate array during Rapid Thermal Process[J]. Journal of Harbin Institute of Technology, 2014, 46(3): 124-128 |
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| Authors: | WANG Aihu NIU Yihong LIU Yu CHEN Tiejun LI Liya |
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| Affiliation: | School of Materials and Metallurgy, Northeastern University, 110819 Shenyang, China;School of Materials and Metallurgy, Northeastern University, 110819 Shenyang, China;School of Materials and Metallurgy, Northeastern University, 110819 Shenyang, China;School of Materials and Metallurgy, Northeastern University, 110819 Shenyang, China;College of Power Engineering, Chongqing University, 400030 Chongqing, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | patterned wafer Rapid Thermal Process heat radiation temperature distribution heat transport properties |
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