| DBD电路模型参数的测量与仿真分析 |
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| 引用本文： | 孙瑞韬. DBD电路模型参数的测量与仿真分析[J]. 电气技术, 2012, 0(12): 36-43 |
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| 作者姓名： | 孙瑞韬 |
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| 作者单位： | 徐州供电公司调度通信中心,江苏徐州,221005 |
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| 摘 要： | 为了能够对介质阻挡放电(Dielectric Barrier Discharge,DBD)的物理机制有更深入的理解,目前国内外许多学者采用电路模型仿真与实验相结合的方法来对介质阻挡放电进行研究,它们通过结合实际的试验条件,提出了许多不同的电路仿真模型。本文在华中科技大学张庭提出的电路模型基础之上,通过实验和理论计算分别得到了试验装置的介质电容和气隙电容,对该模型进行了仿真,并对仿真结果和试验结果进行了比较。在保持电感L和电源频率f及幅值不变的情况下,讨论了当记忆电阻Rmen和记忆电容Cmen变化时,放电电流从单峰模式向多峰模式的演变规律。并对电流脉冲的变化情况与记忆电阻和记忆电容的关系进行了探讨,以期能够对DBD的放电机理有更深入的理解。
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| 关 键 词： | 李萨如图(形) 低温等离子体 介质阻挡放电(DBD) 电路模型 记忆电阻记忆电容 放电电流 |
The Parameter-Measurement and Simulation Analysis of the Circuit Model of DBD |
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| Sun Ruitao. The Parameter-Measurement and Simulation Analysis of the Circuit Model of DBD[J]. Electrical Engineering, 2012, 0(12): 36-43 |
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| Authors: | Sun Ruitao |
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| Affiliation: | Sun Ruitao (Jiangsu Xuzhou Power Company, Xuzhou, Jiangsu 221005) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | low-temperature plasma dielectric barrier discharge (DBD) circuit model memory resistor discharge current memory capacity |
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