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| 高质量半导体激光晶片液相外延研究 | |
| 引用本文： | 郑广富.高质量半导体激光晶片液相外延研究[J].半导体技术,1984(2). |
| 作者姓名： | 郑广富 |
| 作者单位： | 永川光电技术研究所 |
| 摘 要： | 以GaAs单晶为衬底的GaAlAs三元系红外光短波长双异质结半导体激光器,目前已走上实用化阶段.这种激光器的各种特性参数已基本上能满足应用系统的需求,它的应用开发领域正在越来越广.但是,这种半导体激光器目前还相当昂贵,价格远高于象晶体管之类的半导体器件,主要是因为制造的成品率很低,重复性和均匀性很差.为使这种半导体激光器更广泛地走向实用化,必须找出高可靠性高成品率和重复性好的器件制造方法,其中关键的技术是激光晶片的制造.我们采用液相外延技术制作这种激 |
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