| 脉冲光激励对少数载流子寿命的理论分析 |
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| 引用本文： | 陈凤翔,汪礼胜,胡昌奎,吴薇. 脉冲光激励对少数载流子寿命的理论分析[J]. 测试技术学报, 2007, 21(5): 400-404 |
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| 作者姓名： | 陈凤翔 汪礼胜 胡昌奎 吴薇 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学,理学院,物理科学与技术系,湖北,武汉,430070;武汉理工大学,理学院,物理科学与技术系,湖北,武汉,430070;武汉理工大学,理学院,物理科学与技术系,湖北,武汉,430070;武汉理工大学,理学院,物理科学与技术系,湖北,武汉,430070 |
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| 摘 要： | 主要从理论上研究脉冲光信号激励对少数载流子寿命测试结果的影响.通过研究两种理想的脉冲光源--高斯脉冲、方脉冲与理想δ函数光源产生的光电导衰减曲线的对比,发现对于高斯脉冲光源,只有在脉宽的条件下才可等效于δ函数光源;而脉宽的方脉冲才能等效为δ函数光源.否则脉冲光过长的脉宽和下降沿将对光电导衰减曲线中进一步分离出的表面复合速度和少子体寿命结果造成误差.若样品受表面状况影响较小时(如体寿命较低或表面复合速度低时),则可对两种理想脉冲光源的要求适当放宽.
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| 关 键 词： | 脉冲光 少子寿命 高斯脉冲 方脉冲 表面复合 |
| 文章编号： | 1671-7449（2007）05-0400-05 |
| 收稿时间： | 2007-01-16 |
The Theoretical Analysis of Minority Carrier Lifetime Under the Pulse Laser Stimulation |
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| CHEN Fengxiang,WANG Lisheng,HU Changkui,WU Wei. The Theoretical Analysis of Minority Carrier Lifetime Under the Pulse Laser Stimulation[J]. Journal of Test and Measurement Techol, 2007, 21(5): 400-404 |
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| Authors: | CHEN Fengxiang WANG Lisheng HU Changkui WU Wei |
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| Affiliation: | Dept. of Physics Science and Technology, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | pulse illumination minority carrier lifetime Gaussian pulse square pulse surface recombination |
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