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| 半绝缘砷化镓单晶的整锭热退火 | |
| 作者姓名： | 谢自力 陈宏毅 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所 南京210016(谢自力，陈宏毅)，南京电子器件研究所 南京210016(陈小兵) |
| 摘 要： | 本文报道了整锭热退火对IEC-SI-GaAs单晶特性的影响.研究发现,在950℃温度和5小时条件下,对SI-GaAs单晶整锭热退火后,单晶的电阻率、迁移率、霍尔浓度、位错密度和电子陷阱El2浓度的分布均匀性有所改善,并且El2浓度和迁移率平均值经热退火后有所提高. |
| 关 键 词： | 半绝缘 砷化镓 整锭热退火 均匀性 |
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