| 新型电阻膜吸波体在封装辐射抑制中的应用 |
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| 作者姓名： | 李燕 霍树云 李尔平 |
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| 作者单位： | 1. 中国计量大学信息工程学院浙江省电磁波信息技术与计量重点实验室;2. 河北工业大学电子信息工程学院;3. 浙江大学浙江省先进微纳电子器件智能系统及应用重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(62071424,62027805)；;浙江省自然科学基金重大项目(LD21F010002)； |
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| 摘 要： | 为抑制封装系统中无意的电磁辐射，设计了一种单元尺寸为0.079λL×0.079λL、厚度为0.057λL的新型电阻膜超材料吸波体结构.该电阻膜超材料吸波体通过在玻璃基板的两侧溅射氧化铟锡薄膜，并在顶层设计图案化的强耦合结构实现了超带宽吸收.通过仿真和实物测试证实了该吸波体结构在17～41 GHz频率范围内具有90%以上的吸收率.为了进一步研究其电磁辐射抑制能力，将该吸波体应用于封装系统模型中，仿真结果显示在18～47 GHz频率范围内3 m辐射电场明显降低，最佳抑制效果达到18 dB.所有结果表明所提出的电阻膜吸波体具有小型化、超宽带、极化不敏感和角度稳定的特性，其良好的辐射抑制能力为封装系统的辐射超标问题提供了新的解决思路.
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| 关 键 词： | 电磁干扰 超材料吸波体 辐射抑制 芯片封装 超宽带 |
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