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基于RTD与CMOS的新型数字电路设计
引用本文:马龙,王良臣,黄应龙,杨富华. 基于RTD与CMOS的新型数字电路设计[J]. 固体电子学研究与进展, 2006, 26(3): 295-299
作者姓名:马龙  王良臣  黄应龙  杨富华
作者单位:中国科学院半导体研究所半导体集成技术研究中心,北京,100083
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划)
摘    要:纳米电子器件RTD与CMOS电路结合,这种新型电路不仅保持了CMOS动态电路的所有优点,而且在工作速度、功耗、集成度以及电路噪声免疫性方面都得到了不同程度的改善和提高。文中对数字电路中比较典型的可编程逻辑门、全加器电路进行了设计与模拟,并在此基础上对4×4阵列纳米流水线乘法器进行了结构设计。同时讨论了在目前硅基RTD器件较低的PVCR值情况下实现相应电路的可行性。

关 键 词:共振隧穿二极管  互补金属氧化物半导体  可编程逻辑门  纳米流水线  全加器  乘法器
文章编号:1000-3819(2006)03-300-04
收稿时间:2005-09-05
修稿时间:2005-12-30

Design of Novel Digital Circuits Based on the Integration of RTD and CMOS
MA Long,WANG Liangchen,HUANG Yinglong,YANG Fuhua. Design of Novel Digital Circuits Based on the Integration of RTD and CMOS[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2006, 26(3): 295-299
Authors:MA Long  WANG Liangchen  HUANG Yinglong  YANG Fuhua
Abstract:The novel digital circuits based on the integration of RTD and CMOS not only keep all the advantages of CMOS dynamic circuits, but also improve the speed, power dissipation, integration level and noise immunity to different extents. Programmable logic gate, 1-bit nanopipeline full adder and 4×4 nanopipeline array multiplier based on RTD-CMOS circuits are presented in this paper. The feasibility of above Si-based circuits is also discussed due to the lower PVCR value of Si-based RTD devices currently.
Keywords:resonant tunneling diode(RTD)  complementary metal oxide semiconductor(CMOS)  programmable logic gate(PLG)  nanopipeline  full adder(FA)  multiplier
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