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碳化硅陶瓷的热等静压烧结
引用本文:佘继红,江东亮.碳化硅陶瓷的热等静压烧结[J].硅酸盐学报,1997,25(4):395-400.
作者姓名:佘继红  江东亮
作者单位:中国科学院上海硅酸研究所
摘    要:系统地研究了不同添加剂(如Al2O3,AlN和B4C等)在热等静压(HIP)烧结条件下对SiC陶瓷之致密机理,显微结构以及力学性能的影响,结果表明:在HIP烧结过程中,Al2O3可以与SiC颗粒表面的SiO2生成低共熔的铝硅酸盐玻璃相,并有效地促进SiC陶瓷的致密化,当添加3%(以质量计)Al2O3时,采用HIP烧结工艺,在1850℃温度和200MPa压力下降结1h,就可获得相对密度和抗弯强度分别

关 键 词:碳化硅陶瓷  热等静压  烧结  压制成型

DENSIFICATION OF SILICON CARBIDE CERAMICS BY HOT ISOSTATIC PRESSING
She Jihong,Jiang Dongliang,Tan Shouhong,Guo Jingkun.DENSIFICATION OF SILICON CARBIDE CERAMICS BY HOT ISOSTATIC PRESSING[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,1997,25(4):395-400.
Authors:She Jihong  Jiang Dongliang  Tan Shouhong  Guo Jingkun
Abstract:
Keywords:silicon carbide  ceramics  hot isostatic pressing  sintering
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