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| 场极器件的设计考虑 | |
| 作者姓名： | 蔡世俊 谢世键 赵文霞 童勤义 董克元 |
| 作者单位： | 南京工学院半导体研究室(蔡世俊，谢世键，赵文霞，童勤义)，南京工学院半导体研究室(董克元) |
| 摘 要： | 对半导体表面的研究不泛其人,除了表面场效应是应是MOS器件的理论基础之外,另一主要原因是因为表面场效应能够对平面器件的PN结及晶体管的特性产生巨大的影响。自从Grove在1967年转为系统.但比较粗糙地提出了关于平面PN结击穿电压的表面功效应之后,对于利用表面场来控制P结就得到了更广泛的研究。de.Graaff.用计算机进行的二维模拟计算,描述了局部栅复盖PN结的表面击穿。F.Cont,和Mcont;则在1974年提出了用表面场的900v平面二极管的报告。目前,该方面的工作处于对栅控二极管表面 |
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