| 基于SBR方法的矩形腔体散射特性分析 |
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| 引用本文： | 袁晶,华根瑞,张生春. 基于SBR方法的矩形腔体散射特性分析[J]. 电子元器件应用, 2012, 0(Z1): 73-75 |
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| 作者姓名： | 袁晶 华根瑞 张生春 |
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| 作者单位： | 西安电子工程研究所 |
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| 摘 要： | 本文从电大腔体散射出发,研究分析了射线弹跳法的原理及性质,基于对典型矩形腔体的几何特性及射线追踪特性的研究,推导了该类腔体入射口面与出射口面间的关系,得到了能够解析描述入射位置与出射位置的数学公式。在此基础上,通过对射线弹跳法的分析和简化,推导得到适用于电大矩形腔体的散射的计算公式,极大地提高了原有算法在此类问题上的计算效率。计算结果验证了该公式的有效性,也总结出了矩形腔体散射与入射角度之间的关系。
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| 关 键 词： | SBR 散射特性 RCS |
Analysis of scattering from rectangular cavity with SBR method |
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| YUAN Jing,HUA Gen-rui,ZHANG Sheng-chun. Analysis of scattering from rectangular cavity with SBR method[J]. Electronic Component & Device Applications, 2012, 0(Z1): 73-75 |
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| Authors: | YUAN Jing HUA Gen-rui ZHANG Sheng-chun |
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| Affiliation: | (Xi’an Electronic Engineering Research Institute;Xi’ an 710100) |
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| Abstract: | |
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