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高性能a-Si:H TFT开关器件的研制
引用本文:袁剑峰,杨柏梁,朱永福,李牧菊,刘传珍,吴渊,廖燕平,王刚,邵喜斌,刘宏武,黄锡珉.高性能a-Si:H TFT开关器件的研制[J].液晶与显示,1999,14(3):181-186.
作者姓名:袁剑峰  杨柏梁  朱永福  李牧菊  刘传珍  吴渊  廖燕平  王刚  邵喜斌  刘宏武  黄锡珉
作者单位:1. 中国科学院长春物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130021
2. 吉林大学超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130021
基金项目:中国科学院重大项目,吉林省科技厅科技攻关项目 
摘    要:介绍了a-Si:HTFT开关器件的有源层、栅绝缘层、欧接触层以及界面特性的研究工作。研制了a-Si:HTFT单管器件,其开关电流达到6个数量级,为最终研制a-Si:HTFTAMLCD在奠定了坚实的基础。

关 键 词:HTFT  开关器件  有源层  栅绝缘层  液晶显示器

Preparation of High Performance a-Si:H TFT Devices
YUAN Jian-feng,YANG Bai-liang,ZHU Yong-fu,LI Mu-ju,LIU Chuan-zhen,WU Yuan,LIAO Yan-ping,WANG Gang,SHAO Xi-bin,LIU Hong-wu,HUANG Xi-min.Preparation of High Performance a-Si:H TFT Devices[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,1999,14(3):181-186.
Authors:YUAN Jian-feng  YANG Bai-liang  ZHU Yong-fu  LI Mu-ju  LIU Chuan-zhen  WU Yuan  LIAO Yan-ping  WANG Gang  SHAO Xi-bin  LIU Hong-wu  HUANG Xi-min
Abstract:
Keywords:a-Si
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