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| GaAs：SiCu光导开关的计算机模拟 | |
| 作者姓名： | 于海霞 杨瑞霞 |
| 作者单位： | 河北工业大学电气信息学院,天津 |
| 基金项目： | 河北省自然科学基金，中国科学院资助项目，597043，，， |
| 摘 要： | 对掺Ｓｉ补偿Ｃｕ的ＧａＡｓ（ＧａＡｓ：Ｓｉ：Ｃｕ）材料的光控开关特性进行了计算机模拟，结果表明Ｃｕ与Ｓｉ的浓度比（ＮＣｕ／ＮＳｉ）和激光通量是影响开关特性的两个重要因素，ＮＣｕ／ＮＳｉ越大，电导淬灭时间越短；光通量越大，导通态电导率越大，开关闭合、断开时间越短。并分析了上述现象的产生机理。 |
| 关 键 词： | 光导开关 砷化镓 铜 计算机模拟 硅 半导体 |
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