| AFM在不同参数下实现阳极氧化纳米加工 |
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| 引用本文： | 孙志,秦水介. AFM在不同参数下实现阳极氧化纳米加工[J]. 半导体技术, 2006, 31(10): 751-753,757 |
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| 作者姓名： | 孙志 秦水介 |
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| 作者单位： | 贵州大学,贵州省光电子技术及应用重点实验室,贵阳,550025;贵州大学,贵州省光电子技术及应用重点实验室,贵阳,550025 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 教育部优秀青年教师资助计划 , 教育部春晖计划项目 , 贵州省国际科技合作项目 , 贵州省高层次人才基金 , 贵州省优秀科技教育人才省长基金 |
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| 摘 要： | 用原子力显微镜(AFM)研究了电场诱导氧化理论以及偏置电压和脉冲时间对加工结构尺寸的影响.通过实验得出了偏压、脉冲时间越大,加工尺寸越大的结论.并总结出氧化加工Si较好的参数范围.
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| 关 键 词： | AFM针尖诱导阳极氧化 Si氧化点 偏置电压 脉冲时间 |
| 文章编号： | 1003-353X（2006）10-0751-03 |
| 收稿时间： | 2006-02-27 |
| 修稿时间： | 2006-02-27 |
Anodic Oxidation Nano-Fabrication at Different Parameters by AFM |
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| SUN Zhi,QIN Shui-jie. Anodic Oxidation Nano-Fabrication at Different Parameters by AFM[J]. Semiconductor Technology, 2006, 31(10): 751-753,757 |
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| Authors: | SUN Zhi QIN Shui-jie |
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| Affiliation: | The Key Laboratory for Photoelectric Technology and Application of Guizhou Province, Guizhou University, Guiyang 550025, China |
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| Abstract: | The theory of field-induced oxidation and the impact of bias voltage and pulse time on the nanofabrication were studied by AFM. According to the experiments, it is obvious that the bias voltage and pulse time are in direct proportion to oxide dimension. The proper bias voltage and pulse time range for oxidizing Si film were achieved. |
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| Keywords: | AFM anodic oxidation Si oxidation points bias voltage pulse time |
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