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| φ300mm的大直径直拉单晶硅勾形磁场下生长的数值模拟 | |
| 引用本文： | 宇慧平,隋允康,张峰翊,常新安,安国平.φ300mm的大直径直拉单晶硅勾形磁场下生长的数值模拟[J].无机材料学报,2005,20(2):453-458. |
| 作者姓名： | 宇慧平 隋允康 张峰翊 常新安 安国平 |
| 作者单位： | 1. 北京工业大学机电学院,北京,100022 2. 北京有色金属研究总院,北京,100088 3. 北京工业大学材料学院,北京,100022 |
| 基金项目： | 北京工业大学青年科技基金(JQ0105200372) |
| 摘 要： | 直径300mm硅片的生产技术是当今硅材料生产研究的重要方向之一,而晶体生长 界面的形状、温度分布、晶体中氧的浓度和均匀性等对熔体流动状态十分敏感,采用实验的方 法来测量熔体的流动、温度场分布是很困难的,因此很难通过实验的方法获得熔体的流动是如 何影响晶体生长的质量的,而数值模拟能提供熔体流动、温度分布等详细内容,为单晶硅的生 长提供有利的指导.本文采用低雷诺数的K-ε紊流模型,对直径300mm的大直径单晶硅生 长进行了数值模拟,通过熔体在有、无勾形磁场作用时的流场、温度场的分析,阐明了勾形磁 场影响熔体流动的机理. |
| 关 键 词： | 直拉法 勾形磁场 数值模拟 |
| 文章编号： | 1000-324X(2005)02-0453-06 |
| 收稿时间： | 2004-03-04 |
| 修稿时间： | 2004年3月4日 |
Numerical Simulation of a Czochralski Silicon Crystal Growth with a Large Diameter 300mm Under a Cusp Magnetic Field |
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| YU Hui-Ping,SUI Yun-kang,ZHANG Feng-Yi,CHANG Xin-An,AN Guo-Ping.Numerical Simulation of a Czochralski Silicon Crystal Growth with a Large Diameter 300mm Under a Cusp Magnetic Field[J].Journal of Inorganic Materials,2005,20(2):453-458. | |
| Authors: | YU Hui-Ping SUI Yun-kang ZHANG Feng-Yi CHANG Xin-An AN Guo-Ping |
| Affiliation: | 1. College of Mechanical Engineering & Applying Electronic Technique; Beijing University of Technology; Beijing 100022; China; 2.General Research Institute for Nonferrous Metals; Beijng 100088; 3.College of Materials Science and Engineering; Beijing University of Technology; Beijing 100022,China |
| Abstract: | |
| Keywords: | CZSi method cusp magnetic field numerical simulation |
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