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MOCVD生长不同Al组分AlGaN薄膜
引用本文:刘斌,张荣,谢自力,张禹,李亮,张曾,刘启佳,姚劲,周建军,姬小利,修向前,江若琏,韩平,郑有炓,龚海梅.MOCVD生长不同Al组分AlGaN薄膜[J].激光与红外,2007,37(13):964-966.
作者姓名:刘斌  张荣  谢自力  张禹  李亮  张曾  刘启佳  姚劲  周建军  姬小利  修向前  江若琏  韩平  郑有炓  龚海梅
作者单位:江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,江苏 南京 210093;北京科技大学物理系,北京 100083;3.中国科学院上海技术物理研究所,上海 200083
基金项目:国家重点基础研究发展规划973(2006CB6049);国家高技术研究发展规划(2006AA03A103,2006AA03A118,2006AA03A142,2006AA03Z411);国家自然科学基金(6039070,60421003,60676057);教育部重大项目(10416),高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);江苏省自然科学基金项目(BK2005210);江苏省高等学校研究生创新工程基金和南京大学研究生科研创新基金
摘    要:本文研究了利用金属有机物化学汽相淀积系统(MOCVD)生长高质量不同Al组分AlxGa1-xN薄膜(0.13
关 键 词:金属有机物化学汽相淀积  AlGaN  薄膜生长

Variational Al Composition Crack free AlGaN Films Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
LIU Bin,ZHANG Rong,XIE Zi-li,ZHANG Yu,LI Liang,ZHANG Zeng,LIU Qi-ji,YAO Jin,ZHOU Jian-jun,JI Xiao-li,XIU Xiang-qian,JIANG Ruo- lian,HAN Ping,ZHENG You-dou,GONG Hai-mei.Variational Al Composition Crack free AlGaN Films Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition[J].Laser & Infrared,2007,37(13):964-966.
Authors:LIU Bin  ZHANG Rong  XIE Zi-li  ZHANG Yu  LI Liang  ZHANG Zeng  LIU Qi-ji  YAO Jin  ZHOU Jian-jun  JI Xiao-li  XIU Xiang-qian  JIANG Ruo- lian  HAN Ping  ZHENG You-dou  GONG Hai-mei
Affiliation:Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials and Department of Physics,Nanjing University,Nanjing 210093,China;Department of Physics,School of Applied Science,University of Science and Technology,Beijing 100083,China;Sha
Abstract:Variational Al composition AlxGa1-xN (0.13
Keywords:MOCVD  AlGaN  film growth
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