| Si基ZnO缓冲层溅射Ga2O3氨化反应生长GaN薄膜 |
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| 引用本文： | 王书运,庄惠照,高海永.Si基ZnO缓冲层溅射Ga2O3氨化反应生长GaN薄膜[J].理化检验(物理分册),2005,41(9):456-459. |
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| 作者姓名： | 王书运 庄惠照 高海永 |
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| 作者单位： | 山东师范大学物理与电子科学学院,济南,250014 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助（90301002） |
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| 摘 要： | 利用射频磁控溅射法在Si（111）衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中分别以850℃,900℃,950℃和1 000℃等温度及常压下通氨气进行氨化,反应生长GaN薄膜.利用该方法制备的GaN薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构,并且随着氨化温度的升高,GaN向棒状和线状形态生长.
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| 关 键 词： | Ga2O3薄膜 ZnO缓冲层 氨化 射频磁控溅射 扫描电镜 透射电镜 |
| 文章编号： | 1001-4012（2005）09-0456-04 |
| 收稿时间： | 2005-05-08 |
| 修稿时间： | 2005-05-08 |
ANALYSIS OF GaN FILMS BY AMMONIATING Ga2O3 FILM ON ZnO BUFFER LAYER ON SILICON SUBSTRATE |
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| WANG Shu-yun,ZHUANG Hui-zhao,GAO Hai-yong.ANALYSIS OF GaN FILMS BY AMMONIATING Ga2O3 FILM ON ZnO BUFFER LAYER ON SILICON SUBSTRATE[J].Physical Testing and Chemical Analysis Part A:Physical Testing,2005,41(9):456-459. |
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| Authors: | WANG Shu-yun ZHUANG Hui-zhao GAO Hai-yong |
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| Affiliation: | College of Physics and Electronics, Shandong Normal University, Ji'nan 250014, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ga2O3 thin films ZnO buffer layers Ammoniation Radio frequency magnetron sputtering Scanning electron microscope Transmission electron microscope |
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