| 亲疏水处理度对于GaAs/GaN键合界面透光性的影响 |
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| 引用本文： | 郭晶,郭霞,梁庭,顾晓玲,林巧明,沈光地. 亲疏水处理度对于GaAs/GaN键合界面透光性的影响[J]. 半导体学报, 2007, 28(7): 1092-1096 |
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| 作者姓名： | 郭晶 郭霞 梁庭 顾晓玲 林巧明 沈光地 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电控学院 北京市光电子技术实验室，北京 100022;北京工业大学电控学院 北京市光电子技术实验室，北京 100022;北京工业大学电控学院 北京市光电子技术实验室，北京 100022;北京工业大学电控学院 北京市光电子技术实验室，北京 100022;北京工业大学电控学院 北京市光电子技术实验室，北京 100022;北京工业大学电控学院 北京市光电子技术实验室，北京 100022 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) , 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家自然科学基金 , 霍英东教育基金 , 北京市属市管高等学校人才强教计划 , 全国高等学校优秀博士学位论文作者专项基金 |
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| 摘 要： | 采用亲疏水两种不同的处理方法,在氮气保护、600℃热处理1h条件下,成功实现了GaN和GaAs异质材料的键合,两种处理方法均可满足器件对于键合强度及键合面积的要求.从亲疏水键合机理的不同出发,研究了两种处理方法对于界面透光性的影响,对键合样品进行了可见光透射谱测试,实验结果表明疏水键合界面对于垂直入射的630nm的光可以获得高达94.7%的透过率,并将键合样品加工成器件进行电致发光(EL)谱测试,实验结果与透射谱测试结果一致.
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| 关 键 词： | 键合 亲疏水处理 GaAs/GaN 透过率 疏水处理 GaAs 键合界面 透光性 影响 Transmittance Processes Hydrophobic Hydrophilic Effect 测试结果 透射谱测试 电致发光 样品加工 透过率 垂直入射 实验 可见光 研究 键合机理 |
| 文章编号： | 0253-4177（2007）07-1092-05 |
| 收稿时间： | 2007-01-09 |
| 修稿时间： | 2007-03-07 |
Effect of Hydrophilic and Hydrophobic Processes on the Transmittance of a GaAs/GaN Bonding Interface |
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| Guo Jing,Guo Xi,Liang Ting,Gu Xiaoling,Lin Qiaoming and Shen Guangdi. Effect of Hydrophilic and Hydrophobic Processes on the Transmittance of a GaAs/GaN Bonding Interface[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(7): 1092-1096 |
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| Authors: | Guo Jing Guo Xi Liang Ting Gu Xiaoling Lin Qiaoming Shen Guangdi |
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| Affiliation: | Beijing Optoelectronic Technology Laboratory,Institute of Electronic Information and Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100022,China;Beijing Optoelectronic Technology Laboratory,Institute of Electronic Information and Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100022,China;Beijing Optoelectronic Technology Laboratory,Institute of Electronic Information and Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100022,China;Beijing Optoelectronic Technology Laboratory,Institute of Electronic Information and Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100022,China;Beijing Optoelectronic Technology Laboratory,Institute of Electronic Information and Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100022,China;Beijing Optoelectronic Technology Laboratory,Institute of Electronic Information and Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100022,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | bonding hydrophilic hydrophobic GaAs/GaN transmittance |
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