| 氧化钒薄膜的电学性质研究 |
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| 引用本文： | 陈学荣,胡军志,韩文政.氧化钒薄膜的电学性质研究[J].中国表面工程,2006(7):241-243. |
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| 作者姓名： | 陈学荣 胡军志 韩文政 |
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| 作者单位： | 装甲兵工程学院 装备再制造工程系，北京 100072 |
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| 摘 要： | 采用离子束溅射和退火工艺，在K9玻璃基体上制备了氧化钒薄膜，并对其微观形貌及组成进行了研究。SEM结果表明，所制备的氧化钒薄膜均匀致密，晶粒尺寸达纳米量级，平均约50nm。由XPS分析可知，薄膜中钒的价态为+4价和+5价，薄膜由VO2和V2O5组成。自行研制了一套实时测量、动态显示测量结果的电阻—温度关系测试系统。应用该测试系统测量了薄膜电阻随温度变化的关系曲线，发现所制备的氧化钒薄膜具有显著的电阻突变特性，其低温段的激活能为0.3106eV，25℃时的电阻温度系数为-0.0406K-1 。
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| 关 键 词： | 氧化钒 薄膜 电学性质 |
Study on Electrical Properties of Vanadium Oxide Thin Film |
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| Chen Xue-rong,Hu Jun-zhi,Han Wen-zheng.Study on Electrical Properties of Vanadium Oxide Thin Film[J].China Surface Engineering,2006(7):241-243. |
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| Authors: | Chen Xue-rong Hu Jun-zhi Han Wen-zheng |
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| Affiliation: | Academy of Armored Force Engineering, Beijing 100072 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | vanadium oxide thin film electrical property |
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