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| 超高频晶体管多晶硅发射极新工艺 | |
| 作者姓名： | 俞诚 王文源 |
| 作者单位： | 中国华晶电子集团公司分立器件事业部!无锡214061 |
| 摘 要： | 不管集成电路如何发展，分立器件永远不会被集成电路完全取代。而在分立器件中，高一颗小功率管产量占有相当大的比重。但直到现在，高频小功率管的生产基本上仍然是沿用了传统的老工艺。因此，对于这类器件生产工艺的改进就有着带普遍性的非常重要的意义．我们针对现行小功率管制造中存在的问题，以3DG142为代表品种，试验使用LPCVD多晶硅薄膜工艺，以掺杂多晶硅发射极结构取射传统的池发射极TIAI结构，改善了器件性能，提高了成品率和可靠性，取得了良好的结果。一、问题高濒，尤其是超高频小功率晶体管，芯片几何尺寸细微，以致做好… |
| 关 键 词： | 晶体管 超高频晶体管 多晶硅 发射极 |
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