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| VLSI介质材料的研究动态和发展方向 | |
| 引用本文： | 蔡菊荣.VLSI介质材料的研究动态和发展方向[J].微电子技术,1995,23(2):28-33. |
| 作者姓名： | 蔡菊荣 |
| 作者单位： | 中国华晶电子集团公司技术支援中心!无锡214061 |
| 摘 要： | 本文阐述了当前在ＣＭＯＳ和ＤＲＡＭ中，栅氧化层、ＩＭＤ、ＤＲＡＭ电容器三个方面所用的低介质常数和高介质常数材料的研究动态以及发展方向。 |
| 关 键 词： | VLSI 介质材料 介质 制作 工艺 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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