| 低介电常数氟化非晶碳薄膜热稳定性的研究 |
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| 引用本文： | 刘雄飞,张云芳,肖剑荣,李幼真.低介电常数氟化非晶碳薄膜热稳定性的研究[J].微细加工技术,2005(2):51-54,62. |
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| 作者姓名： | 刘雄飞 张云芳 肖剑荣 李幼真 |
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| 作者单位： | 中南大学,物理科学与技术学院,长沙,410083 |
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| 摘 要： | 以CF4和CH4的混合气体为源气体，以Ar为工作气体，用射频等离子体增强化学气相沉积法(rf-PECVD)制备了氟化非晶碳(a-C：F)薄膜，并在Ar气氛中对不同温度下沉积的薄膜进行了退火处理，以考察其热稳定性。用椭偏仪测量了薄膜的厚度，比较了退火前后膜厚的变化；用傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)对薄膜进行了分析，发现当退火温度达到350℃时，位于2900cm^-1附近的三个吸收峰几乎全部消失，随着射频功率的增加，980cm^-1～1350cm^-1范围内的CFx(x=1，2，3)峰向低频方向移动；用原子力显微镜(AFM)观察了不同沉积温度下和经不同退火温度处理后薄膜表面形貌的变化，发现随沉积温度的升高，薄膜表面变得均匀，退火后的薄膜表面比没有退火的薄膜表面平坦。
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| 关 键 词： | rf-PECVD a-C：F薄膜 热稳定性 |
| 文章编号： | 1003-8213(2005)02-0051-04 |
Study on the Thermal Stability of a-C:F Thin Film |
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| LIU Xiong-fei,ZHANG Yun-fang,XIAO Jian-rong,LI You-zhen.Study on the Thermal Stability of a-C:F Thin Film[J].Microfabrication Technology,2005(2):51-54,62. |
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| Authors: | LIU Xiong-fei ZHANG Yun-fang XIAO Jian-rong LI You-zhen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | rf-PECVD a-C:F thin films thermal stability |
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