| 高Al组分N-AlxGa1-xN材料的欧姆接触 |
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| 引用本文： | 王玲,许金通,陈俊,陈杰,张燕,李向阳.高Al组分N-AlxGa1-xN材料的欧姆接触[J].激光与红外,2007,37(13):967-970. |
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| 作者姓名： | 王玲 许金通 陈俊 陈杰 张燕 李向阳 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理所传感技术国家重点实验室，上海 200083 |
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| 摘 要： | 基于各层金属间在快速热退火时容易合金化及Ti，Al易被氧化的特点，在高Al组分NAlxGa1xN(x≥0．45)材料上溅射生长多层金属Ti／Al／Ti／Au，并且变化Ti，Al比例以及改变退火温度和时间，得到了金属与高Al组分N-AlxGa1-xN(x≥0．45)材料间的欧姆接触，由传输线模型方法测试得比接触电阻为4.9×10-2Ω·cm2。实验中用到的样品为P(Al0．45Ga0．55N)/i(Al0.45Ga0．55N)／N-Al0．63Ga0．37N多层结构的材料。最后，利用伏安特性和俄歇电子能谱深度分布(AES)研究金属与高Al组分的材料之间形成欧姆接触的原因。
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| 关 键 词： | 欧姆接触 高Al组分 N-AlxGa1-xN材料 |
The Ohmic Contacts of High Al Contents on N AlxGa1-xN Materials |
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| WANG Ling,XU Jin-tong,CHEN Jun,CHEN Jie,ZHANG Yan,LI Xiang-yang.The Ohmic Contacts of High Al Contents on N AlxGa1-xN Materials[J].Laser & Infrared,2007,37(13):967-970. |
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| Authors: | WANG Ling XU Jin-tong CHEN Jun CHEN Jie ZHANG Yan LI Xiang-yang |
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| Affiliation: | Shanghai Institute of Technical Physics,State Key Laboratories of Transducer Technology,the Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ohmic contacts high Al contents N AlxGa1-xN |
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