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| 0.35μm SOI CMOS器件建模技术研究 | |
| 引用本文： | 杨立斌,苏海伟,唐威,吴龙胜,刘佑宝.0.35μm SOI CMOS器件建模技术研究[J].微电子学与计算机,2009,26(3). |
| 作者姓名： | 杨立斌 苏海伟 唐威 吴龙胜 刘佑宝 |
| 作者单位： | 西安微电子技术研究所,陕西,西安,710054 |
| 摘 要： | 介绍了SOI技术的优势和器件建模的意义.针对0.35μmSOI CMOS工艺的开发,设计了用于建模的测试芯片.对于SOIMOSFET中存在的自加热等寄生效应设计了参数提取的流程,并设计了相应的测试方法.在得到所需的测试数据后,采用局部优化方法进行参数提取.最后通过模型仿真结果和测试数据的比较证明了建立的0.35μm SOI CMOS模型有较高的精度. |
| 关 键 词： | 建模 |
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