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| 磁控溅射法制备CdS多晶薄膜工艺研究 | |
| 引用本文： | 朱兴华,杨定宇,孙辉,李乐中,彭龙,祖小涛. 磁控溅射法制备CdS多晶薄膜工艺研究[J]. 真空科学与技术学报, 2011, 31(6): 671-676. DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2011.06.04 |
| 作者姓名： | 朱兴华 杨定宇 孙辉 李乐中 彭龙 祖小涛 |
| 作者单位： | 1. 电子科技大学物理电子学院 成都610054;成都信息工程学院光电技术学院 成都610225 2. 成都信息工程学院光电技术学院 成都610225 3. 电子科技大学物理电子学院 成都610054 |
| 基金项目： | 成都市科技计划，成都信息工程学院科研基金资助项目 |
| 摘 要： | 采用磁控法制备了CdS薄膜,研究工艺参数对样品沉积质量、沉积速率及晶体结构的影响。实验发现,在不同衬底上制备CdS薄膜时需要采取不同的后续工艺措施以获得较好的沉积质量。同时,制备样品的沉积速率随衬底类型、衬底温度、溅射功率及溅射气压的变化而变化。讨论并给出了工艺参数对上述实验结果的影响机制。X射线衍射谱显示,制备样品是六方和立方两种晶型的混合,沿(002)和(111)晶面择优取向生长。随溅射功率的增大和衬底温度的升高,两种晶型互相竞争生长并分别略微占优势。当溅射功率增大到200 W,衬底温度升高到200℃时,占优势晶型消失,薄膜择优取向特性变得更好。此外,随着溅射气压的增大,样品结晶质量下降,在0.5 Pa时呈现明显非晶化现象。 |
| 关 键 词： | 磁控溅射 CdS多晶薄膜 沉积质量 沉积速率 晶体结构 |
Growth and Characterization of Poly-CdS Films |
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| Zhu Xinghua,Yang Dingyu,Sun Hui,Li Lezhong,Peng Long,Zu Xiaotao. Growth and Characterization of Poly-CdS Films[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2011, 31(6): 671-676. DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2011.06.04 | |
| Authors: | Zhu Xinghua Yang Dingyu Sun Hui Li Lezhong Peng Long Zu Xiaotao |
| Affiliation: | Zhu Xinghua1,2,Yang Dingyu1,Sun Hui2,Li Lezhong2,Peng Long2,Zu Xiaotao1(1.School of Physical Electronics,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China,2.School of Optoelectronic Technology,Chengdu University of Information Technology,Chengdu 610225,China) |
| Abstract: | The polycrystalline CdS films were grown by RF magnetron sputtering on substrates of glass,quartz,and silicon.The impacts of the growth conditions on the microstructures and properties of the CdS films were characterized with X-ray diffraction(XRD),and metalloscope.The results show that the sputtering power and substrate temperature significantly affect the microstructures of the CdS polycrystalline films.Preferential growth orientations of the hexagonal and cubic phases were found to be(002) and(111),respe... |
| Keywords: | Magnetron sputtering Polycrystalline CdS thin film Depositing quality Deposition rate Crystal structure |
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