| 当前直接覆铜技术的研究进展 |
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| 引用本文： | 高陇桥,石明. 当前直接覆铜技术的研究进展[J]. 真空电子技术, 2011, 0(4): 39-41 |
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| 作者姓名： | 高陇桥 石明 |
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| 作者单位： | 北京真空电子技术研究所,北京,100015 |
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| 基金项目： | 本文在编写过程中,得到了我所理化分析中心何晓梅教授、江树儒高工、以及王晓宁、赵崇霞等同事的支持,谨表谢意! |
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| 摘 要： | 叙述了近期国内外关于直接覆铜(DBC)技术的发展动态,指出DBC技术在电力电子模块、LED器件以及半导体制冷等领域的广泛应用,特别是AlN基片的DBC工艺研究应该引起有关科技人员的关注。
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| 关 键 词： | 直接覆铜 Al2O3 AlN 预氧化 原位氧化 |
Recent Research Development of DBC Technology |
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| GAO Long-qiao,SHI Ming. Recent Research Development of DBC Technology[J]. Vacuum Electronics, 2011, 0(4): 39-41 |
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| Authors: | GAO Long-qiao SHI Ming |
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| Affiliation: | GAO Long-qiao,SHI Ming (Beijing Vacuum Electronics Research Institute,Beijing 100015,China) |
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| Abstract: | The recent development of DBC technology is overviewed.The applications are introduced in the fields of power electronic modules,LED devices,semiconductor refrigeration.Related researchers should pay attention to this technology especially DBC process on AlN substrates. |
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| Keywords: | DBC Al2O3 AlN Preoxidating In situ oxidation |
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