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| 生长过程中采用强磁场改进半绝缘LEC GaAs和InP晶体的均匀性 | |
| 引用本文： | S·Ozawa,相进.生长过程中采用强磁场改进半绝缘LEC GaAs和InP晶体的均匀性[J].微纳电子技术,1987(4). |
| 作者姓名： | S·Ozawa 相进 |
| 摘 要： | 我们研究了磁场强度对诸如C/GaAs、In/GaAs、Fe/GaAs晶体的杂质分布以及对LEC GaAs、InP单晶的原生缺陷、半绝缘特性的影响。根据这些结果,以数字模拟为基础,我们采用程控磁场LEC技术论证了沿生长轴向杂质分布的可控性。 |
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