功能薄膜材料多晶硅的制备及光电特性研究 |
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引用本文: | 吴萍,林旋英.功能薄膜材料多晶硅的制备及光电特性研究[J].材料导报,1999,13(6):62-64. |
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作者姓名: | 吴萍 林旋英 |
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作者单位: | 广东汕头大学理学院物理系,广东汕头大学理学院物理系,广东汕头大学理学院物理系,广东汕头大学理学院物理系 汕头 515063,汕头 515063,汕头 515063,汕头 515063 |
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摘 要: | 用等离子体化学气相沉积(PCVD)制备掺杂和本片的a-Si:H薄膜,用固相晶化法制备多晶硅薄膜。通过X射线衍射分析多晶硅的晶粒大小与a-Si:H的沉积条件及退火条件的关系,测量了子多晶硅薄膜的室温暗电导率和光能隙,讨论了影响暗导导率和光能隙的因素。
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关 键 词: | 多晶硅 固相晶化 光电特性 功能薄膜材料 |
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