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| SiGe HBT超自对准结构模拟研究 | |
| 引用本文： | 黄大鹏,戴显英,张鹤鸣,王伟,吴建伟,胡辉勇,张静,刘道广. SiGe HBT超自对准结构模拟研究[J]. 微电子学, 2005, 35(4): 329-331 |
| 作者姓名： | 黄大鹏 戴显英 张鹤鸣 王伟 吴建伟 胡辉勇 张静 刘道广 |
| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学,微电子学院,陕西,西安,710071 2. 西安电子科技大学,微电子学院,陕西,西安,710071;宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071 3. 模拟集成电路国家重点实验室,重庆,400060 |
| 摘 要： | 侧墙厚度及悬梁长度是SiGe HBT超自对准器件工艺中的重要结构参数,对器件的寄生效应和结面积有一定的影响,因而也影响器件的电流放大系数β和特征频率ft.在目前的文献中,尚未见到有关SiGe HBT超自对准结构模拟的报道.文章在研究各种超自对准技术的基础上,给出了SiGe HBT超自对准器件的优化结构.利用二维器件模拟软件MEDICI,对该结构中的侧墙及悬梁进行了模拟研究.结果表明,侧墙厚度对器件的频率特性影响较大,而对直流放大倍数β影响较小;悬梁长度在仿真的参数范围内对器件的直流放大特性和特征频率都影响不大. |
| 关 键 词： | 硅锗异质结双极晶体管 自对准 侧墙 悬梁 |
| 文章编号： | 1004-3365（2005）04-0329-03 |
| 收稿时间： | 2004-09-08 |
| 修稿时间： | 2004-09-08 |
An Investigation into Simulation of SiGe HBT''''s with Super Self-Aligned Selectively Grown Base |
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| HUANG Da-peng,Dai Xian-Ying,Zhang He-Ming,WANG Wei,WU Jian-wei,Hu Hui-Yong,ZHANG Jing,LIU Dao-guang. An Investigation into Simulation of SiGe HBT''''s with Super Self-Aligned Selectively Grown Base[J]. Microelectronics, 2005, 35(4): 329-331 | |
| Authors: | HUANG Da-peng Dai Xian-Ying Zhang He-Ming WANG Wei WU Jian-wei Hu Hui-Yong ZHANG Jing LIU Dao-guang |
| Abstract: | |
| Keywords: | SiGe HBT Self-alignment Sidewall, Overhanging |
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