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| GaAs半导体对1.06μm激光的吸收响应 | |
| 作者姓名： | 吴明和 阮成礼 杨宏春 刘鸿 王玉明 薛长江 |
| 作者单位： | 电子科技大学物理电子学院,成都,610054;成都大学,成都,610053 |
| 基金项目： | 预研基金(51407030303DZ0206)和电子科大青年基金(JX03019)资助课题. |
| 摘 要： | 入射光脉冲波长为1064nm时，GaAs光导开关上的直流电场强度为10^3W／cm。讨论了恒定光强和高斯光强时，GaAs杂质吸收载流子浓度随时间变化；将高斯光强时的模拟结果同实验相比较，二者吻合很好。 |
| 关 键 词： | 杂质吸收 光生载流子 光激发 俘获效应 |
| 收稿时间： | 2004-08-16 |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ | |