Hf/HfO_2基双极阻变存储器研究 |
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引用本文: | 毕津顺,韩郑生.Hf/HfO_2基双极阻变存储器研究[J].功能材料与器件学报,2014(5):101-106. |
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作者姓名: | 毕津顺 韩郑生 |
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作者单位: | 中国科学院微电子研究所 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(批准号:11179003,61176095)资助的课题 |
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摘 要: | 本文制备了纳米级的Hf/Hf O2基阻变存储器,阻变存储器上电极金属和下电极金属交叉,形成交叉点型的金属-氧化物-金属结构。系统地对其电学特性进行表征,包括forming过程、SET过程和RESET过程。详细研究了该阻变存储器SET电压与RESET电压,高阻态阻值与低阻态阻值间的关联性。该阻变存储器的电学参数与SET过程的电流限制值强相关,因此需要折中优化。利用量子点接触模型对Hf/Hf O2基阻变存储器的开关物理机制进行了分析。
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关 键 词: | 二氧化铪 双极 阻变存储器 导电细丝 量子点接触模型 |
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